军用电子装备的电磁防护新技术军用电子装备的电磁防护新技术-EDA技术,杀伤力——电击穿。其作用范围随爆炸的高度而异，NEMP的最大特点是上升时间快、强度大。上升时间约8ns，连接时间约200ns，  电场强度高，可达50kV／m，是一种高强度的电磁干扰源(ENI)，比通常的EMI强度高几十至上百分贝；另一特点是作用范围广、频带宽、能量大。频带从10KHz至100MHZ，除了对TV、无线电设备的前端(高频端)有影响以外，对电话机等设备也有破坏作用，可使敌方的指挥、控制、通信、情报等系统遭受重创甚至瘫痪，成为现代战场上最为严重的电磁破坏因素。
为了保证武器系统能正常地履行其功能并发挥重大作用，就要实施EMP防护。军用电子设备的NEMP防护也是EMC工作的一个重要组成部分。在现代战场上，为屏蔽电磁干扰和电磁脉冲的危害，就必须要求装载电气与电子设备的方舱具有很好的电磁屏蔽性能。总的来说，使用方舱并提高方舱整个舱体的电磁屏蔽性能就是一个很好的方法，它具有简单、成本低、整体效果好等优点。
    2．2 雷电电磁脉冲(LEMP)
    雷电是自然界强大的脉冲放电现象，也是一种静电现象，而且是自然电磁干扰源中最强的一种放电现象。一次闪电平均含有上万个脉冲放电过程，电流脉冲平均幅值为几万安培，持续时间几十到几百微秒。闪电通道大约有几百米至几公里长，在先导——主放电过程中，它们向周围空间辐射高频和甚高频能量，从而产生雷电电磁脉冲（LEMP）。LEMP给计算机等微电子设备带来的危害也是相当严重的。雷电脉冲通常通过电网供电电源进入计算机网络造成干扰，轻则引起计算机程序混乱、信息处理失误；重则烧毁元器件，或使某些部件损坏直至停机，造成难以估计的重大损失。
  由于微电子技术和计算机技术在军用电子装备中的应用程度越来越高，采取相应的LEMP防护措施已成为军用电子装备安全性与抗干扰技军用电子装备的电磁防护新技术军用电子装备的电磁防护新技术-EDA技术电子技术信息港