
图4:利用相同的齐纳二极管的反相放大器电路的偏置方法。
在图3中,电流通过电阻RZ流到齐纳二极管,形成偏置工作点。电容CN可以阻止齐纳二极管产生的噪声通过反馈进入运放。要想实现低噪声电路需要使用一个比10uF还大的CN,并且齐纳二极管应该选择一个工作电压在Vs/2。电阻RZ必须选择能够提供齐纳二极管工作在稳定的额定电压上和保持输出噪声电流比较低的水平上。因为运放的输入电流只有1pA左右,几乎接近零,所以为了减小输出噪声电流,低功耗的齐纳二极管是非常理想的选择。可以选择250mW的齐纳二极管,但为了考虑成本,选择500mW的齐纳二极管也是可以接受。齐纳二极管的工作电流会因制造商的不同有些差别,在应用中一般IZ在5mA(250mW)与5uA(500mW)之间比较好。

表4:电路参数及期间参数选择
在齐纳二极管的工作极限范围之内,采用下面电路(图3、图4)将有比较好的电源抑制能力。但这个电路有一些缺陷,因为运放输出的静态工作点是齐纳二极管的电压而不是Vs/2。如果电源电压下降,大信号输出的波形将会失真(出现不对称的削顶波形),此时电路还要消耗更多的电能。电阻RIN与R2应该选择相同的单电源运算放大器的偏置与去耦电路设计单电源运算放大器的偏置与去耦电路设计-技术文章电子技术信息港


