将交叉耦合的影响减至最小
为了达到E-GOLDradio所实现的性能，需要采用总体系统方法。这意味着需要考虑引起不同构建模块之间交叉耦合和相互影响的所有可能机制。需要仔细考虑电源设计才能保证数字部分与射频模块间的影响达到最小。当然，封装以及布局对于芯片性能也有很大影响，因此需要与IC布局（如功能模块的排列）工作密切合作，才能够获得最佳的总体性能。此外，还必须考虑PCB的设计。
在芯片一级，必须特别注意集成在同一裸片上的射频和数字功能之间的交叉耦合影响。造成交叉耦合的一个根源是因为CMOS工艺本身采用了低电阻硅衬底。当然，尽管SOI对于交叉耦合效应不那么敏感，但它比CMOS工艺昂贵得多。所谓的保护环（Guard-ring）方法是提高隔离度的另一种选择。深槽技术也是一种可行的选择，但代价是工艺复杂性增加。
串扰的其它来源包括电源耦合、键合线等带来的感性耦合。减少耦合的对策包括良好接地、缓冲、引脚布局等。对付耦合效应的另一种方法是仔细地进行总体频率规划。由于电路实现时的不完美以及交叉耦合效应的存在，几个高次谐波频率成份会作为寄生频率成份出现在所需要的单频载波成份旁边。这些频率成份在发射频谱中会非常明显，从而影响到截止频率。利用智能频率转换方法以及特殊的设计技巧等方法，可以减轻这些不需要的频率分量。
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