当然，最适合的工艺技术在很大程度上也与芯片架构和芯片划分有关。显然，对于真正意义上的单片集成来说，射频宏单元必须采用与基带部分同样的技术实现。因此，所选择的工艺技术参数必须能够同时满足两者的要求。其中一个方面就是相关工艺所能够达到的速度，或者更准确地说，是特定工艺技术的跃迁频率（ft）。在选择最适合工艺技术的时候，这一参数具有关键作用。作为一个基本原则，所选择工艺技术的ft必须是不同构建模块中所处理的最高信号频率的10倍。
但是，如果数字设计和射频设计采用同样的工艺技术，那么必须考虑到这一技术并非是针对"模拟"要求而优化的。对于典型的射频设计构建模块，晶体管、电阻、电容和电感器的射频和噪声性能对于整个系统的行为和性能有很大的影响。因此通常必须特别考虑到CMOS制造工艺的变化，特别是电路缺陷和CMOS的特有缺点（如1/f噪声）对接收器和发射器行为的影响。为了满足GSM/GPRS射频参数所提出的极为苛刻的系统技术要求，就要采用特殊的设计方法，必须能够在较宽的额定温度范围内达到并保持这些性能参数。一方面要考虑到供电电压变化对性能参数的影响，另一方面也必须考虑到CMOS工艺不稳定所带来的影响。
选择适当的接收器和发射器结构
E-GOLDradio发射器部分主要包括一个用于发射调制的sigma-delta PLL和一个用于接收的直接转换器。整个结构的选择应对单芯片手机设计挑战应对单芯片手机设计挑战-技术文章电子技术信息港
